FQP14N30

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
Date Sheet

在庫數 20

1+： $4.73050
10+： $4.46274
100+： $4.21013
500+： $3.97182
1000+： $3.74700

小計金額 $4.73050

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time：11 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Weight：1.8g
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：147W Tc
Turn Off Delay Time：45 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：QFET®
Published：2000
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Terminal Finish：Tin (Sn)
Voltage - Rated DC：300V
Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
Current Rating：14.4A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
Qualification Status：Not Qualified
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：147W
Turn On Delay Time：22 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：290m Ω @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
Rise Time：145ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：70 ns
Continuous Drain Current (ID)：14.4A
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain-source On Resistance-Max：0.29Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage：300V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：57.6A
Avalanche Energy Rating (Eas)：600 mJ
Height：9.4mm
Length：10.1mm
Width：4.7mm
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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10+： $4.46274
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500+： $3.97182
1000+： $3.74700

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