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画像はあくまで参考です。
FQP9P25
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
Date Sheet
在庫數 26000
- 1+： $2.28194
- 10+： $2.15278
- 100+： $2.03092
- 500+： $1.91596
- 1000+： $1.80751
小計金額 $2.28194
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：120W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：620mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-250V
- Current Rating：-9.4A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：120W
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：620m Ω @ 4.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1180pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：38nC @ 10V
- Rise Time：150ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：250V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9.4A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-250V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- Height：16.3mm
- Length：10.67mm
- Width：4.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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