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画像はあくまで参考です。
STP2N95K5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 950V 2A TO220
Date Sheet
在庫數 20
- 1+： $1.66236
- 10+： $1.56827
- 100+： $1.47950
- 500+： $1.39575
- 1000+： $1.31675
小計金額 $1.66236
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：20.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH5™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STP2N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：8.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5 Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：105pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
- Rise Time：13.5ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：950V
- Fall Time (Typ)：32.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2A
- Drain-source On Resistance-Max：5Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8A
- DS Breakdown Voltage-Min：950V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：50 mJ
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20
- 1+： $1.66236
- 10+： $1.56827
- 100+： $1.47950
- 500+： $1.39575
- 1000+： $1.31675
小計金額 $1.66236
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