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画像はあくまで参考です。
FQA32N20C
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P
Date Sheet
在庫數 2800
- 1+： $5.91962
- 10+： $5.58455
- 100+： $5.26844
- 500+： $4.97023
- 1000+： $4.68889
小計金額 $5.91962
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：32A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：204W Tc
- Turn Off Delay Time：245 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：32A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：204W
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：82m Ω @ 16A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2220pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：110nC @ 10V
- Rise Time：270ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：210 ns
- Continuous Drain Current (ID)：32A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.082Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：955 mJ
- Height：18.9mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2800
- 1+： $5.91962
- 10+： $5.58455
- 100+： $5.26844
- 500+： $4.97023
- 1000+： $4.68889
小計金額 $5.91962
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