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画像はあくまで参考です。
FCP260N60E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
Date Sheet
在庫數 50
- 1+： $3.67119
- 10+： $3.46339
- 100+： $3.26735
- 500+： $3.08240
- 1000+： $2.90793
小計金額 $3.67119
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：156W Tc
- Turn Off Delay Time：13 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperFET® II
- Published：2012
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：156W
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：260m Ω @ 7.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：62nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：15A
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：16.51mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50
- 1+： $3.67119
- 10+： $3.46339
- 100+： $3.26735
- 500+： $3.08240
- 1000+： $2.90793
小計金額 $3.67119
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