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画像はあくまで参考です。
FCP13N60N
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Date Sheet
在庫數 4145
- 1+： $4.16588
- 10+： $3.93007
- 100+： $3.70762
- 500+： $3.49775
- 1000+： $3.29976
小計金額 $4.16588
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Power Dissipation (Max)：116W Tc
- Published：2004
- Series：SupreMOS™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：116W
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：258m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1765pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：39.5nC @ 10V
- Rise Time：10.6ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：9.8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Threshold Voltage：2V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.258Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：9.4mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
在庫數 4145
- 1+： $4.16588
- 10+： $3.93007
- 100+： $3.70762
- 500+： $3.49775
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小計金額 $4.16588
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