日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDP19N40
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
Date Sheet
在庫數 800
- 1+： $1.52108
- 10+： $1.43498
- 100+： $1.35376
- 500+： $1.27713
- 1000+： $1.20484
小計金額 $1.52108
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：215W Tc
- Turn Off Delay Time：82 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：240MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：215W
- Turn On Delay Time：31 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：240m Ω @ 9.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2115pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：70ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：49 ns
- Continuous Drain Current (ID)：19A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：400V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：76A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：542 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
