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画像はあくまで参考です。
FQP22N30
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
Date Sheet
在庫數 9
- 1+： $2.57864
- 10+： $2.43268
- 100+： $2.29498
- 500+： $2.16508
- 1000+： $2.04253
小計金額 $2.57864
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Turn Off Delay Time：85 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Published：2000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：160MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：300V
- Current Rating：21A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：170W
- Turn On Delay Time：35 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 10.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V
- Rise Time：230ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：100 ns
- Continuous Drain Current (ID)：21A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：300V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：84A
- Nominal Vgs：5 V
- Width：4.7mm
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9
- 1+： $2.57864
- 10+： $2.43268
- 100+： $2.29498
- 500+： $2.16508
- 1000+： $2.04253
小計金額 $2.57864
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