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画像はあくまで参考です。
FCD620N60ZF
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET SuperFET2 620mohm / 600V, FRFET
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $2.40077
- 10+： $2.26488
- 100+： $2.13668
- 500+： $2.01574
- 1000+： $1.90164
小計金額 $2.40077
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：89W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.3A Tc
- Turn Off Delay Time：35 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：HiPerFET™, Polar™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：FCD620N60
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：620m Ω @ 3.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1135pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.3A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.62Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：6.22mm
- Length：6.73mm
- Width：2.39mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $2.40077
- 10+： $2.26488
- 100+： $2.13668
- 500+： $2.01574
- 1000+： $1.90164
小計金額 $2.40077
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