日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STD10NM65N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Date Sheet
在庫數 944
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：480mOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD10
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：480m Ω @ 4.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：850pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：25nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 944
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
