日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STP40NF12
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
Date Sheet
在庫數 12
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：84 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：120V
- Current Rating：40A
- Base Part Number：STP40N
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：28 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：32m Ω @ 20A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1880pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80nC @ 10V
- Rise Time：63ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.032Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：120V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 12
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
