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STB15N65M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Date Sheet
在庫數 63259
- 1+： $0.28772
- 10+： $0.27143
- 100+： $0.25607
- 500+： $0.24158
- 1000+： $0.22790
小計金額 $0.28772
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Series：MDmesh™ V
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：340MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STB15N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：85W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：340m Ω @ 5.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：810pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Width：9.35mm
- Length：10.4mm
- Height：4.6mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 63259
- 1+： $0.28772
- 10+： $0.27143
- 100+： $0.25607
- 500+： $0.24158
- 1000+： $0.22790
小計金額 $0.28772
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