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STB18N60M2
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Date Sheet
在庫數 1000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：280mOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB18N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：280m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：791pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21.5nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：10.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Height：4.6mm
- Length：10.4mm
- Width：9.35mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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