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STB12NM50ND
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Date Sheet
在庫數 1195
- 1+： $5.65287
- 10+： $5.33290
- 100+： $5.03104
- 500+： $4.74626
- 1000+： $4.47760
小計金額 $5.65287
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：290mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Base Part Number：STB12N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：380m Ω @ 5.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：850pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：17 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1195
- 1+： $5.65287
- 10+： $5.33290
- 100+： $5.03104
- 500+： $4.74626
- 1000+： $4.47760
小計金額 $5.65287
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