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画像はあくまで参考です。
STW34NM60N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Date Sheet
在庫數 9000
- 1+： $7.51360
- 10+： $7.08830
- 100+： $6.68708
- 500+： $6.30856
- 1000+： $5.95148
小計金額 $7.51360
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：106 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：105MOhm
- Peak Reflow Temperature (Cel)：225
- Base Part Number：STW34N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：210W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：105m Ω @ 14.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2722pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80nC @ 10V
- Rise Time：34ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：70 ns
- Continuous Drain Current (ID)：29A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9000
- 1+： $7.51360
- 10+： $7.08830
- 100+： $6.68708
- 500+： $6.30856
- 1000+： $5.95148
小計金額 $7.51360
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