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STW24N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus
Date Sheet
在庫數 6000
- 1+： $3.06726
- 10+： $2.89364
- 100+： $2.72985
- 500+： $2.57533
- 1000+： $2.42956
小計金額 $3.06726
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：190MOhm
- Base Part Number：STW24N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：14 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1060pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：61 ns
- Continuous Drain Current (ID)：18A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：72A
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 6000
- 1+： $3.06726
- 10+： $2.89364
- 100+： $2.72985
- 500+： $2.57533
- 1000+： $2.42956
小計金額 $3.06726
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