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画像はあくまで参考です。
STD25NF10LA
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 2.5 V
Date Sheet
在庫數 30
- 1+： $1.66884
- 10+： $1.57438
- 100+： $1.48526
- 500+： $1.40119
- 1000+： $1.32188
小計金額 $1.66884
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：58 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD25N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：35m Ω @ 12.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1710pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：52nC @ 5V
- Rise Time：40ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：25A
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain-source On Resistance-Max：0.04Ohm
- Avalanche Energy Rating (Eas)：450 mJ
- Width：6.8mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30
- 1+： $1.66884
- 10+： $1.57438
- 100+： $1.48526
- 500+： $1.40119
- 1000+： $1.32188
小計金額 $1.66884
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