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STD26NF10
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Date Sheet
在庫數 50000
- 1+： $1.88819
- 10+： $1.78131
- 100+： $1.68049
- 500+： $1.58536
- 1000+： $1.49563
小計金額 $1.88819
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：38MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD26N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：38m Ω @ 12.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1550pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：55nC @ 10V
- Rise Time：60ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：25A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：480 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50000
- 1+： $1.88819
- 10+： $1.78131
- 100+： $1.68049
- 500+： $1.58536
- 1000+： $1.49563
小計金額 $1.88819
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