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STB12NM60N
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
Date Sheet
在庫數 731
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：STB12N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90W
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：410m Ω @ 5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：960pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30.5nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 731
小計金額 $0.00000
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