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画像はあくまで参考です。
FQP27N25
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
Date Sheet
在庫數 100
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：180W Tc
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：250V
- Current Rating：25.5A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：180W
- Turn On Delay Time：32 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 12.75A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2450pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：65nC @ 10V
- Rise Time：270ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：120 ns
- Continuous Drain Current (ID)：25.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：250V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：600 mJ
- Nominal Vgs：5 V
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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