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STP120N4F6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $2.01167
- 10+： $1.89780
- 100+： $1.79038
- 500+： $1.68904
- 1000+： $1.59343
小計金額 $2.01167
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP120
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.3m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3850pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：65nC @ 10V
- Rise Time：70ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- DS Breakdown Voltage-Min：40V
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $2.01167
- 10+： $1.89780
- 100+： $1.79038
- 500+： $1.68904
- 1000+： $1.59343
小計金額 $2.01167
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