日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STP95N4F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $2.10860
- 10+： $1.98924
- 100+： $1.87664
- 500+： $1.77042
- 1000+： $1.67021
小計金額 $2.10860
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Series：STripFET™ III
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Base Part Number：STP95
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6.2m Ω @ 40A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：54nC @ 10V
- Rise Time：50ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Threshold Voltage：2V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0062Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- Height：15.75mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $2.10860
- 10+： $1.98924
- 100+： $1.87664
- 500+： $1.77042
- 1000+： $1.67021
小計金額 $2.10860
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
