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画像はあくまで参考です。
STP15NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
Date Sheet
在庫數 19
- 1+： $4.29382
- 10+： $4.05077
- 100+： $3.82148
- 500+： $3.60517
- 1000+： $3.40111
小計金額 $4.29382
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：299mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP15N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：125W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：299m Ω @ 7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1250pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56A
- Length：10.4mm
- Height：15.75mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 19
- 1+： $4.29382
- 10+： $4.05077
- 100+： $3.82148
- 500+： $3.60517
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小計金額 $4.29382
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