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STU8N65M5
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Date Sheet
在庫數 1926
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Base Part Number：STU8N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- Turn On Delay Time：50 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：600m Ω @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：690pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：7A
- Drain-source On Resistance-Max：0.6Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：28A
- Height：6.9mm
- Length：6.6mm
- Width：2.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1926
小計金額 $0.00000
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