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FDB029N06
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Date Sheet
在庫數 443
- 1+： $11.21012
- 10+： $10.57558
- 100+： $9.97697
- 500+： $9.41223
- 1000+： $8.87946
小計金額 $11.21012
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.762g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：231W Tc
- Turn Off Delay Time：54 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2009
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：231W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：39 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.1m Ω @ 75A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：9815pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：151nC @ 10V
- Rise Time：178ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：33 ns
- Continuous Drain Current (ID)：193A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：772A
- Height：4.83mm
- Length：10.67mm
- Width：9.65mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 443
- 1+： $11.21012
- 10+： $10.57558
- 100+： $9.97697
- 500+： $9.41223
- 1000+： $8.87946
小計金額 $11.21012
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