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FDB031N08
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Date Sheet
在庫數 165
- 1+： $5.02948
- 10+： $4.74479
- 100+： $4.47622
- 500+： $4.22285
- 1000+： $3.98382
小計金額 $5.02948
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.762g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：375W Tc
- Turn Off Delay Time：335 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：3.1MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：375W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：230 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.1m Ω @ 75A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：15160pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：220nC @ 10V
- Rise Time：191ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：121 ns
- Continuous Drain Current (ID)：235A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：75V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：940A
- Height：4.83mm
- Length：10.67mm
- Width：11.33mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 165
- 1+： $5.02948
- 10+： $4.74479
- 100+： $4.47622
- 500+： $4.22285
- 1000+： $3.98382
小計金額 $5.02948
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