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FJV3109RMTF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Date Sheet
在庫數 5654
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23-3 (TO-236)
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- hFEMin：100
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2002
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：40V
- Max Power Dissipation：200mW
- Current Rating：100mA
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200mW
- Power - Max：200mW
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：40V
- Frequency - Transition：250MHz
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Resistor - Base (R1)：4.7 kOhms
- Continuous Collector Current：100mA
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5654
小計金額 $0.00000
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