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画像はあくまで参考です。
FDP24N40
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 400V 24A TO-220
Date Sheet
在庫數 36688
- 1+： $6.23576
- 10+： $5.88279
- 100+： $5.54980
- 500+： $5.23566
- 1000+： $4.93930
小計金額 $6.23576
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：227W Tc
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：175MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：227W
- Turn On Delay Time：40 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：175m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3020pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V
- Rise Time：90ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：400V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- Width：4.7mm
- Height：15.38mm
- Length：10.1mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 36688
- 1+： $6.23576
- 10+： $5.88279
- 100+： $5.54980
- 500+： $5.23566
- 1000+： $4.93930
小計金額 $6.23576
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