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画像はあくまで参考です。
FDP22N50N
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Date Sheet
在庫數 40
- 1+： $3.96469
- 10+： $3.74028
- 100+： $3.52856
- 500+： $3.32883
- 1000+： $3.14041
小計金額 $3.96469
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：312.5W Tc
- Turn Off Delay Time：48 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：185mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：312.5W
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：220m Ω @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：65nC @ 10V
- Rise Time：50ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- Height：9.2mm
- Length：9.9mm
- Width：4.5mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 40
- 1+： $3.96469
- 10+： $3.74028
- 100+： $3.52856
- 500+： $3.32883
- 1000+： $3.14041
小計金額 $3.96469
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