日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDP20N50F
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $4.16338
- 10+： $3.92772
- 100+： $3.70540
- 500+： $3.49566
- 1000+： $3.29779
小計金額 $4.16338
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250W
- Turn On Delay Time：45 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：260m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3390pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：65nC @ 10V
- Rise Time：120ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：60 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.26Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 3000
- 1+： $4.16338
- 10+： $3.92772
- 100+： $3.70540
- 500+： $3.49566
- 1000+： $3.29779
小計金額 $4.16338
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
