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画像はあくまで参考です。
BC32725BU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk
Date Sheet
在庫數 60414
- 1+： $0.29038
- 10+： $0.27395
- 100+： $0.25844
- 500+： $0.24381
- 1000+： $0.23001
小計金額 $0.29038
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：179mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：-45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：800mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-45V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-800mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：BC327
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.5W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：260MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：-45V
- Max Collector Current：-800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：160 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：5.33mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 60414
- 1+： $0.29038
- 10+： $0.27395
- 100+： $0.25844
- 500+： $0.24381
- 1000+： $0.23001
小計金額 $0.29038
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