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画像はあくまで参考です。
BCW89
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
Date Sheet
在庫數 372
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：39 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
- Power Dissipation (Max)：350mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：120
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：200mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BCW89
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：120 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 372
小計金額 $0.00000
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