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画像はあくまで参考です。
STP13NM60N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $4.53844
- 10+： $4.28155
- 100+： $4.03919
- 500+： $3.81056
- 1000+： $3.59487
小計金額 $4.53844
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：360mOhm
- Base Part Number：STP13N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90W
- Turn On Delay Time：3 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：360m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：790pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.5A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- Nominal Vgs：3 V
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $4.53844
- 10+： $4.28155
- 100+： $4.03919
- 500+： $3.81056
- 1000+： $3.59487
小計金額 $4.53844
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