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画像はあくまで参考です。
FDC637AN
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
Date Sheet
在庫數 23040
- 1+： $1.04263
- 10+： $0.98362
- 100+： $0.92794
- 500+： $0.87542
- 1000+： $0.82586
小計金額 $1.04263
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Series：PowerTrench®
- Published：1999
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：24mOhm
- Voltage - Rated DC：20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：6.2A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：24m Ω @ 6.2A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1125pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16nC @ 4.5V
- Rise Time：13ns
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.2A
- Threshold Voltage：820mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Nominal Vgs：820 mV
- Width：1.7mm
- Height：1mm
- Length：3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 23040
- 1+： $1.04263
- 10+： $0.98362
- 100+： $0.92794
- 500+： $0.87542
- 1000+： $0.82586
小計金額 $1.04263
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