日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDC855N
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Date Sheet
在庫數 23040
- 1+： $0.77849
- 10+： $0.73443
- 100+： $0.69286
- 500+： $0.65364
- 1000+： $0.61664
小計金額 $0.77849
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.1A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：27MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：27m Ω @ 6.1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：655pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 10V
- Rise Time：2ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.1A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Nominal Vgs：2 V
- Feedback Cap-Max (Crss)：95 pF
- Height：1mm
- Length：3mm
- Width：1.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 23040
- 1+： $0.77849
- 10+： $0.73443
- 100+： $0.69286
- 500+： $0.65364
- 1000+： $0.61664
小計金額 $0.77849
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
