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STT7P2UH7
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6
- MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet
在庫數 574322
- 1+： $0.81396
- 10+： $0.76789
- 100+： $0.72442
- 500+： $0.68342
- 1000+： $0.64473
小計金額 $0.81396
仕様 よくある質問
- Package / Case：SOT-23-6
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Weight：36.003894mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：1.6W Tc
- Turn Off Delay Time：128 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：19.5mOhm
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STT7P
- JESD-30 Code：R-PDSO-G6
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：12.5 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：22.5m Ω @ 3.5A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2390pF @ 16V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 4.5V
- Rise Time：30.5ns
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：84.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：7A
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：28A
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 574322
- 1+： $0.81396
- 10+： $0.76789
- 100+： $0.72442
- 500+： $0.68342
- 1000+： $0.64473
小計金額 $0.81396
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