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FDS86252
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- FDS86252 Series 150 V 4.5 A 55 mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET - SOIC-8
Date Sheet
在庫數 1080
- 1+： $1.44239
- 10+： $1.36074
- 100+： $1.28372
- 500+： $1.21105
- 1000+： $1.14250
小計金額 $1.44239
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：8
- Weight：130mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 5W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Ta
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Published：2008
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：5W
- Turn On Delay Time：9.2 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：55m Ω @ 4.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：955pF @ 75V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：1.6ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：2.9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Threshold Voltage：3.4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.055Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Nominal Vgs：3.4 V
- Feedback Cap-Max (Crss)：5 pF
- Length：4mm
- Height：1.5mm
- Width：5mm
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1080
- 1+： $1.44239
- 10+： $1.36074
- 100+： $1.28372
- 500+： $1.21105
- 1000+： $1.14250
小計金額 $1.44239
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