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STW69N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 650V 58A TO-247
Date Sheet
在庫數 32365
- 1+： $10.64704
- 10+： $10.04438
- 100+： $9.47583
- 500+： $8.93946
- 1000+： $8.43346
小計金額 $10.64704
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：58A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：330W Tc
- Turn Off Delay Time：102 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：45MOhm
- Base Part Number：STW69N
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：330W
- Turn On Delay Time：102 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：45m Ω @ 29A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6420pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：143nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：58A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 32365
- 1+： $10.64704
- 10+： $10.04438
- 100+： $9.47583
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