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画像はあくまで参考です。
STE40NC60
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- ISOTOP
- MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
Date Sheet
在庫數 20193
- 1+： $34.31864
- 10+： $32.37607
- 100+： $30.54346
- 500+： $28.81459
- 1000+： $27.18357
小計金額 $34.31864
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Chassis Mount, Panel, Screw
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：ISOTOP
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：460W Tc
- Turn Off Delay Time：41 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerMESH™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：130mOhm
- Voltage - Rated DC：600V
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Current Rating：40A
- Base Part Number：STE40
- Pin Count：4
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：460W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：49 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：130m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：11100pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：430nC @ 10V
- Rise Time：42ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：26 ns
- Reverse Recovery Time：685 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Isolation Voltage：2.5kV
- Height：9.1mm
- Length：38.2mm
- Width：25.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20193
- 1+： $34.31864
- 10+： $32.37607
- 100+： $30.54346
- 500+： $28.81459
- 1000+： $27.18357
小計金額 $34.31864
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