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画像はあくまで参考です。
STE53NC50
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- ISOTOP
- MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
Date Sheet
在庫數 1900
- 1+： $30.57718
- 10+： $28.84639
- 100+： $27.21358
- 500+： $25.67319
- 1000+： $24.21999
小計金額 $30.57718
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Chassis Mount, Panel, Screw
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：ISOTOP
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：53A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：460W Tc
- Series：PowerMESH™ II
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：80mOhm
- Voltage - Rated DC：500V
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Current Rating：53A
- Base Part Number：STE53
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：460W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：46 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：80m Ω @ 27A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：11200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：434nC @ 10V
- Rise Time：70ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：38 ns
- Continuous Drain Current (ID)：53A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Isolation Voltage：2.5kV
- Width：25.5mm
- Height：9.1mm
- Length：38.2mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
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