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画像はあくまで参考です。
STE48NM50
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- ISOTOP
- MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
Date Sheet
在庫數 25
- 1+： $25.89401
- 10+： $24.42831
- 100+： $23.04558
- 500+： $21.74111
- 1000+： $20.51048
小計金額 $25.89401
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Chassis Mount, Screw, Surface Mount
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：ISOTOP
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：48A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：450W Tc
- Turn Off Delay Time：18 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：100mOhm
- Voltage - Rated DC：550V
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Current Rating：48A
- Base Part Number：STE48
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：450W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：40 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 24A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：117nC @ 10V
- Rise Time：35ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：23 ns
- Continuous Drain Current (ID)：48A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Height：12.2mm
- Length：38.2mm
- Width：25.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 25
- 1+： $25.89401
- 10+： $24.42831
- 100+： $23.04558
- 500+： $21.74111
- 1000+： $20.51048
小計金額 $25.89401
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