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STD4NK60Z-1
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Date Sheet
在庫數 2000
- 1+： $0.96390
- 10+： $0.90934
- 100+： $0.85787
- 500+： $0.80931
- 1000+： $0.76350
小計金額 $0.96390
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD4N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2 Ω @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：510pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Rise Time：9.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：16.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2000
- 1+： $0.96390
- 10+： $0.90934
- 100+： $0.85787
- 500+： $0.80931
- 1000+： $0.76350
小計金額 $0.96390
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