FDMC2674

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerWDFN
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
Date Sheet

在庫數 3000

1+： $0.98494
10+： $0.92919
100+： $0.87659
500+： $0.82697
1000+： $0.78016

小計金額 $0.98494

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Factory Lead Time：10 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：8-PowerWDFN
Number of Pins：8
Weight：165.33333mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Ta 7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：2.1W Ta 42W Tc
Turn Off Delay Time：15 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：UniFET™
Published：2006
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：5
ECCN Code：EAR99
Resistance：366MOhm
Voltage - Rated DC：220V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：FLAT
Current Rating：1A
JESD-30 Code：S-PDSO-F5
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：2.1W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：9 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：366m Ω @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1180pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18nC @ 10V
Rise Time：13ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：21 ns
Continuous Drain Current (ID)：1A
Threshold Voltage：3.4V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：1A
Drain to Source Breakdown Voltage：220V
Nominal Vgs：3.4 V
Height：950μm
Length：3mm
Width：3mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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