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画像はあくまで参考です。
FDMS8050
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerTDFN
- MOSFET PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
Date Sheet
在庫數 8002
- 1+： $5.35027
- 10+： $5.04743
- 100+： $4.76173
- 500+： $4.49219
- 1000+： $4.23792
小計金額 $5.35027
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Weight：56.5mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：156W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 750μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：NO LEAD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- JESD-30 Code：R-PDSO-N5
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：0.65m Ω @ 55A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：22610pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：285nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- JEDEC-95 Code：MO-240AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：55A
- Drain-source On Resistance-Max：0.00065Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：400A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：1536 mJ
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 8002
- 1+： $5.35027
- 10+： $5.04743
- 100+： $4.76173
- 500+： $4.49219
- 1000+： $4.23792
小計金額 $5.35027
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