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STB33N65M2
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Date Sheet
在庫數 15
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：72.5 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Series：MDmesh™ M2
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB33N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：140m Ω @ 12A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1790pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：41.5nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.14Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- DS Breakdown Voltage-Min：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：780 mJ
- Height：4.6mm
- Length：10.4mm
- Width：9.35mm
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 15
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