STP60NF06L

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仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Weight：9.071847g
Transistor Element Material：SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V 5V
Number of Elements：1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A Tc
Power Dissipation (Max)：110W Tc
Turn Off Delay Time：55 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
Operating Temperature：-65°C~175°C TJ
Packaging：Tube
Series：STripFET™ II
JESD-609 Code：e3
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：14mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
Additional Feature：LOW THRESHOLD, AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC：60V
Current Rating：60A
Base Part Number：STP60N
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：110W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：35 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：14m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：66nC @ 4.5V
Rise Time：220ns
Vgs (Max)：±15V
Fall Time (Typ)：30 ns
Continuous Drain Current (ID)：60A
Threshold Voltage：1V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：15V
Drain to Source Breakdown Voltage：60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：240A
Height：9.15mm
Length：10.4mm
Width：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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