日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDP65N06
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Date Sheet
在庫數 10
- 1+： $0.83787
- 10+： $0.79044
- 100+： $0.74570
- 500+： $0.70349
- 1000+： $0.66367
小計金額 $0.83787
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：65A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：135W Tc
- Turn Off Delay Time：98 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：65A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：135W
- Turn On Delay Time：24 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16m Ω @ 32.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2170pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：43nC @ 10V
- Rise Time：94ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：52 ns
- Continuous Drain Current (ID)：65A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：260A
- Nominal Vgs：2 V
- Height：16.51mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10
- 1+： $0.83787
- 10+： $0.79044
- 100+： $0.74570
- 500+： $0.70349
- 1000+： $0.66367
小計金額 $0.83787
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
