STP55NF06

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet

在庫數 70000

1+： $1.78286
10+： $1.68195
100+： $1.58674
500+： $1.49693
1000+： $1.41219

小計金額 $1.78286

仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Weight：4.535924g
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：110W Tc
Turn Off Delay Time：36 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
Packaging：Tube
Series：STripFET™ II
JESD-609 Code：e3
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：18mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC：60V
Current Rating：50A
Base Part Number：STP55N
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：30W
Turn On Delay Time：20 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：18m Ω @ 27.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V
Rise Time：50ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：15 ns
Continuous Drain Current (ID)：50A
Threshold Voltage：3V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：55A
Drain to Source Breakdown Voltage：60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：200A
Dual Supply Voltage：60V
Nominal Vgs：3 V
Height：9.15mm
Length：10.4mm
Width：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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