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STB5NK52ZD-1
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
Date Sheet
在庫數 688
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：23.1 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB5N
- Pin Count：3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 2.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：529pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.9nC @ 10V
- Rise Time：13.6ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：520V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：17.6A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：170 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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