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STB4NK60Z-1
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Date Sheet
在庫數 575
- 1+： $0.60355
- 10+： $0.56938
- 100+： $0.53715
- 500+： $0.50675
- 1000+： $0.47806
小計金額 $0.60355
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STB4N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2 Ω @ 2A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：510pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Rise Time：9.5ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：16.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain-source On Resistance-Max：2Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：16A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：120 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 575
- 1+： $0.60355
- 10+： $0.56938
- 100+： $0.53715
- 500+： $0.50675
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小計金額 $0.60355
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